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➤MOS测试中心第三方实验室属于电子元器件中的其他电子元器件类
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
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检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
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直流参数 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； |
检测电压：7500V 检测电流：6000A |
国标，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：2500V 检测电流：200A |
美军标 |
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栅电阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 |
检测阻0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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开关时间 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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开关时间 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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反向恢复 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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反向恢复 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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栅电荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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栅电荷 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
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短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：1000A |
美军标，国标，IEC等 |
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短路耐量能力 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：10000A |
国标，IEC |
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结电容 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：3000V |
IEC |
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参数曲线扫描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 |
检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C |
美军标，IEC等 |
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热阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 |
功率：250W |
美军标，JEDEC |
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热阻性能 |
IGBT等模块产品 |
功率：4000W |
美军标，JEDEC |
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ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等产品 |
HBM电压：8000V；MM电压：800V |
美军标，ANSI，JEDEC等 |
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*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流桥 |
检测电流：800A |
美军标，国标 |
